沉溺式体会 深圳大运六合中心广场变身亚洲杯公园

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当输出和吸收电流没有到达饱满电流时，式体身亚动态功耗PGO的核算公式如下：式体身亚其间，ROH和ROL是NSD1026V输出结构的MOS的等效注册电阻，能够从Datasheet中查询得到，如图1.4。第二部分的驱动芯片的动态功耗PGO是驱动动态总功耗PGOA的一部分，深合中假如外部栅极驱动电阻为0，深合中则动态功耗PGO等于驱动动态功耗PGOA，即一切驱动损耗都耗费在NSD1026V的内部。

最大开关频率是栅极驱动芯片的重要功能指标，心广其体现会遭到驱动芯片的封装、负载条件、散热等多方面要素的限制。图1.4驱动芯片PeakCurrent（来自NSD1026VDatasheet）在一些状况下，洲杯或许某一个通道输出/吸收电流饱满，洲杯而另一个不饱满，能够依据状况调整动态功耗的核算表达式。图1.3驱动芯片输出上下拉电阻（来自NSD1026VDatasheet）当输出和吸收电流到达饱满电流时，公园动态功耗PGO的核算公式如下：公园其间，VOUTA/B是OUTA和OUTB引脚在注册和关断过程中的电压，TRSYS和TFSYS是实践使用中的注册和关断时刻，ISRC和ISNK为芯片输出引脚内部MOS的饱满电流，能够从数据手册中查询得到。

这儿特别阐明的是，沉溺场变假如驱动输出和吸收电流没有到达饱满电流，MOS的注册电阻都是线性且固定的电阻解决方案：式体身亚电阻分压后操控PMOS，更改后电路图大致如下：替换VGS耐压更高的PMOS，例如AO3407。

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